Компьютерные новости
Все разделы
Samsung начала массовое производство 4-гигабайтных микросхем HBM2
С гордостью компания Samsung представила первые в индустрии микросхемы оперативной памяти стандарта HMB2 объемом 4 ГБ. Они созданы на основе 20-нм техпроцесса и предназначены для использования в HPC-системах и видеокартах нового поколения.
Структура новых микросхем Samsung 4GB HBM2 DRAM состоит из буфера, поверх которого размещено четыре 8-гигабитных ядер DRAM-памяти. В каждом из них сделано более 5000 TSV-отверстий – это более чем в 36 раз выше, чем в самых современных микросхемах 8 Gb TSV DDR4. Благодаря этому существенно повышается производительность при передаче данных. Например, в новинках этот показатель достигает 256 ГБ/с, в решениях HBM DRAM он заявлен на уровне 128 ГБ/с, а для чипов 4 Gb GDDR5 DRAM составляет всего 36 ГБ/с.
Также микросхемы Samsung 4GB HBM2 DRAM обладают поддержкой ECC-коррекции и в два раза лучшим соотношением пропускной способности на ватт, чем 4-гигабитные чипы GDDR5. В результате они обеспечивают не только более надежную и быструю работу, но и требуют меньше энергии. В этом году Samsung планирует начать массовое производство еще и 8-гигабайтных микросхем HBM2-памяти, предназначенных в первую очередь для топовых видеокарт.
