Компьютерные новости
Все разделы
Samsung может переключить часть мощностей производства HBM3E на обычную DRAM
Поскольку Samsung переходит на производство памяти HBM4, компания, по сообщениям, рассматривает возможность переключения части своих производственных мощностей, предназначенных для HBM3E, на выпуск обычной DRAM, чтобы удовлетворить текущий высокий спрос.
Обсуждения сосредоточены на переводе 30–40% мощностей с 10-нм класса четвертого поколения (1a DRAM) на 10-нм класс пятого поколения (1b линейка), которая используется для производства DDR5, LPDDR5X, LPDDR6 и GDDR7. Благодаря дополнительным инвестициям в перепрофилирование, Samsung ожидает высвободить эквивалент около 80 000 пластин в месяц.
Это неожиданное решение вызвано экономическими соображениями. Хотя HBM традиционно считается более маржинальной, внутренние оценки Samsung показывают, что операционная прибыль для стека HBM3E из 12 слоев составляет около 30%. В противовес этому, ближайшие ожидания по DRAM общего назначения превышают 60%. Эти различия в марже, наряду с прогнозами значительного снижения средних цен продаж HBM3E, уменьшили стимул к расширению производства HBM3E.
Учитывая рекордно высокий спрос на DRAM, Samsung ничего не потеряет: вся доступная DRAM будет поглощена индустрией ИИ. Любые остатки мощностей HBM3E будут заняты разработчиками ASIC, такими как Google, Broadcom и MediaTek. Однако, потребуется несколько месяцев, чтобы эти производственные изменения проявились в цепочке поставок.
