up
ru ua
menu

getcid_160x600_12_2018.gif


MB510L_Banner_600x90_10_01_2019.jpg
Новости: > 2019 > 02 > 27

Telegram

rss

Samsung начала массовое производство 512-гигабайтных микросхем eUFS 3.0

В данный момент флагманские смартфоны используют накопители формата embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1. Но компания Samsung уже приготовила им замену в виде eUFS 3.0. Для справки: Samsung представила первые накопители eUFS 2.0 в январе 2015 года. Они были в 1,4 раза быстрее eMMC 5.1. В 2017 году появились чипы eUFS 2.1, а теперь пришла очередь eUFS 3.0.

Samsung eUFS 3

Первыми появятся 512-гигабайтные микросхемы eUFS 3.0. В компактном форм-факторе стековой структуры расположились восемь ядер V-NAND пятого поколения объемом по 512 Гбит и высокопроизводительный контроллер.

Максимальная скорость последовательной передачи данных в 512-гигабайтных чипах eUFS 3.0 достигает 2100 МБ/с, а записи – 410 МБ/с. Для сравнения: в микросхеме eUFS 2.1 аналогичного объема эти же показатели составляли 860 и 255 МБ/с соответственно. При произвольном чтении и записи данных скорости новинки достигают 63 000 и 68 000 IOPS (42 000 и 40 000 IOPS у eUFS 2.1).

Samsung eUFS 3

Уже в этом месяце Samsung выпустит 512- и 128-гигабайтные накопители eUFS 3.0. Во второй половине 2019 года на рынок поступят варианты объемом 1 ТБ и 256 ГБ. Их стоимости не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Новость прочитана 1814 раз(а)

Тэги: emmc   eufs   samsung   v-nand   


<< предыдущая новость     следующая новость >>

Подписаться на наши каналы
telegram YouTube facebook VK Instagram google plus
Социальные комментарии Cackle

Рекомендуемые видео:


Поиск по сайту
Почтовая рассылка

top10

vote

Голосование