Компьютерные новости
Все разделы
Samsung начала массовое производство чипов DDR5 на базе 14-нм EUV техпроцесса
Компания Samsung Electronics с гордостью сообщила о начале массового производства микросхем DDR5 DRAM с использованием 14-нм EUV технологии. Сейчас это самый тонкий техпроцесс при создании чипов ОЗУ.
Инженерам Samsung удалось использовать пять EUV слоев. Весной Samsung начала поставки первых EUV чипов ОЗУ с четырьмя слоями при производстве. Благодаря этому общая производительность пластин выросла примерно на 20%. На столько же сократилось энергопотребление по сравнению с предыдущей технологией производства.
14-нм DDR5 DRAM микросхемы Samsung могут достигать скоростей передачи данных в 7,2 Гбит/с. Это более чем в 2 раза превышает показатели DDR4 (3,2 Гбит/с). Компания планирует расширить свое портфолио 14-нм DDR5 для дата-центров, суперкомпьютеров и промышленных серверов. Также она хочет повысить емкости микросхем до 24 Гбит (3 ГБ), чтобы лучше соответствовать запросам индустрии.
