Samsung начала массовое производство 30 нм 2 ГБ Green DDR3 памяти

Анонсированный раньше переход с 50-нм  на 30-нм техпроцес производства DDR3 памяти наконец состоялся. Samsung с гордостью представила первые 2 ГБ образцы чипов серии Green DDR3. Новые микросхемы будут использованы для производства всех типов оперативной памяти: для серверов, десктопов и ноутбуков. Новинки более быстрые и энергоеффективные, чем модели предыдущего ряда.

Как заявляют разработчики, использование 30-нм чипов в паре с мультиядерними процессорами повысит общую эффективность системы на 30% и снизит потребление электроэнергии на 10%, а выполненные на основе данных микросхем 4ГБ модули DDR3 памяти на 60% более быстрые и используют на 65% меньше энергии, чем 2 ГБ DDR3 планки  с 50-нм техпроцессом производства. До конца текущего года, Samsung планирует наладить массовое производство 4 ГБ 30-нм чипов DDR3 памяти.

Короткая характеристика новых микросхем Samsung Green DDR3:

http://www.tcmagazine.com
http://www.samsung.com
Сергей Будиловский