Компьютерные новости
Все разделы
Samsung обещает выпустить 300-слойную память V-NAND в 2024 году
Похоже, что Samsung готовится победить SK Hynix в гонке за более чем 300 слойную NAND Flash, по крайней мере, согласно сообщениям, поступающим из Южной Кореи. Seoul Economic Daily утверждает в эксклюзивном сообщении, что Samsung будет иметь чип V-NAND с более чем 300 слоями (V для вертикальной или 3D NAND), готовый к производству в 2024 году и, таким образом, может превзойти SK Hynix на целый год. В настоящее время наиболее передовая NAND-память Samsung представляет собой 236-слойный продукт, что на четыре слоя больше, чем у Micron и YMTC, но на два меньше, чем у SK Hynix.
Что бросается в глаза в новостях Seoul Economic Daily, так это то, что в отличие от SK Hynix, которая собирается использовать сэндвич с тройным стеком, Samsung, по-видимому, будет использовать два стека. Это означает, что Samsung стремится к более чем 150 слоям NAND на стек, что кажется большим риском, когда речь идет о производительности. Чем выше стек, тем выше вероятность отказа, но, возможно, Samsung нашла решение этой потенциальной проблемы. Поскольку современная 3D NAND основана на сквозных кремниевых отверстиях перехода, что позволяет более проще производить плотные стеки, чем в прошлом, когда использовалось проводное соединение, но даже в этом случае Samsung может пойти на большой риск. Тем не менее, учитывая текущий низкий спрос и новости о дальнейшем сокращении производства, Samsung может использовать свои фабрики для тестирования этой новой, более плотной NAND, чтобы увидеть, сможет ли компания производить ее без проблем. Дорожная карта Samsung предусматривает выпуск продукта V-NAND с более чем 1000 слоями к 2030 году, но похоже, что путь к этому еще долог и сложен.
