Samsung обнаружила дефекты в производстве DRAM-чипов на одной из фабрик

Корейское издание Businesskorea сообщило о том, что ранее в этом году компания Samsung обнаружила дефектные микросхемы DRAM-памяти на фабрике Giheung Plant. Речь идет о 8-дюймовых пластинах с 10-нм (1х nm) чипами первого поколения, а причина кроется в использовании загрязненного оборудования.

Samsung Electronics подтвердила факт обнаружения дефектных продуктов, но добавила, что проблема уже решена. Ущерб оценен в несколько миллиардов корейских вон (1 млрд корейских вон ≈ €780 000). Хотя некоторые аналитики сомневаются в точности этой оценки и говорят о куда более существенных потерях. В любом случае следует говорить не только о финансовых, но и о репутационных потерях, ведь Samsung поставила перед собой амбициозную цель – стать глобальным лидером в производстве полупроводниковых микросхем до 2030 года.

http://www.businesskorea.co.kr
https://www.computerbase.de
Сергей Будиловский