up
ru ua
menu

ru.gecid.com-160x600-01-2020-1.jpg


Новости: > 2020 > 04 > 14

Telegram

rss

Samsung перейдет на 3-нм техпроцесс в 2022 году с новым поколением транзисторов

Согласно последней информации, в 2022 году Intel планирует полностью перевести все свои продукты на техпроцесс 7+ нм. В том же году Samsung представит 3-нм технологию Gate-All-Around FET (GAAFET), частью которой является Multi Bridge Channel FET (MBCFET).

Samsung MBCFET

В прошлом году Samsung впервые сообщила об их разработке, а теперь появились дополнительные технические подробности. MBCFET обещает снизить энергопотребление на 50% и поднять производительность на 30% по сравнению с неназванным 7-нм техпроцессом. Площадь одного транзистора уменьшится на 45%. К тому же технология позволяет использовать стековую структуру для размещения транзисторов и регулировать его ширину под различные сценарии – от создания энергоэффективных чипов до высокопроизводительных.

Samsung MBCFET

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Новость прочитана 1407 раз(а)

Тэги: intel   samsung   


<< предыдущая новость     следующая новость >>

Подписаться на наши каналы
telegram YouTube facebook VK Instagram google plus
Социальные комментарии Cackle

Рекомендуемые видео:


Поиск по сайту
Почтовая рассылка

top10

vote

Голосование