Tweet

Samsung перейдет на 3-нм техпроцесс в 2022 году с новым поколением транзисторов

Согласно последней информации, в 2022 году Intel планирует полностью перевести все свои продукты на техпроцесс 7+ нм. В том же году Samsung представит 3-нм технологию Gate-All-Around FET (GAAFET), частью которой является Multi Bridge Channel FET (MBCFET).

В прошлом году Samsung впервые сообщила об их разработке, а теперь появились дополнительные технические подробности. MBCFET обещает снизить энергопотребление на 50% и поднять производительность на 30% по сравнению с неназванным 7-нм техпроцессом. Площадь одного транзистора уменьшится на 45%. К тому же технология позволяет использовать стековую структуру для размещения транзисторов и регулировать его ширину под различные сценарии – от создания энергоэффективных чипов до высокопроизводительных.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Новость прочитана 1424 раз(а)

<< предыдущая новость     следующая новость >>

Подписаться на наши каналы