SAMSUNG показывает первый модуль памяти DDR3 на 32 гигабайта

Еще в январе компания SAMSUNG анонсировала новые 4 гигабитные чипы памяти (50-нм техпроцесс), позволяющие увеличивать объемы планок памяти DDR3 до 32 Гб. На днях компания сделала анонс о создании первого модуля памяти такой емкости. О дате выхода продукта на рынок пока ничего не известно, считается даже, что это может произойти в следующем году.

Новые модули производятся по 50 нм техническому процессу. Согласно информации SAMSUNG обновленная память работает при напряжении в 1,35 В и имеет на 20% большую производительность, чем обычные модули DDR3 c напряжением 1,5 В. Снижение потребляемой мощности является частью «зеленой» кампании SAMSUNG, направленной на производство более энерго-эффективной продукции. Кроме небольшого снижения счетов за использованную энергию SAMSUNG также надеется, что благодаря ее новым продуктам понадобятся меньшие затраты на оборудование обеспечивающее бесперебойное питание компонентов, а также на системы охлаждения.

Новые планки памяти с такой большой емкостью нацелены на серверный сектор, однако для обычных рабочих станций и ноутбуков SAMSUNG также приготовила специальные решения в виде 8 ГБ модулей на базе новых 4 гигабитных чипов.

http://www.techspot.com
http://www.techpowerup.com
Андрей Белокриницкий