Компьютерные новости
Все разделы
SK hynix увеличивает производство передовой 1c DRAM
SK hynix активно переводит свои фабрики на новейший техпроцесс 1c DRAM.
Благодаря быстрым темпам модернизации уже до конца года доля новой памяти в производстве превысит треть. Это позволит обогнать главных конкурентов в лице Samsung и Micron, которые на данный момент удерживают лидерство по объемам выпуска этого поколения.
Новая технология обеспечивает более высокую плотность и улучшенную энергоэффективность. Она станет основой для выпуска оперативной памяти следующего поколения, включая HBM4E для систем искусственного интеллекта, а также LPDDR6 и DDR5.
В будущем, из-за физических ограничений классических микросхем, планируется переход на вертикальные транзисторы и объемную компоновку 3D DRAM.
