Компьютерные новости
Все разделы
TSMC создала первый прототип микросхемы с использованием 10-нм FinFET-технологии
Компания TSMC сообщила об успешном производстве тестового образца процессора ARM Cortex-A57 с применением 10-нм FinFET-процесса. В скором времени начнется стадия испытательного производства на пилотной линии. Во второй половине 2016 года она должна перейти в стадию рискового производства (risk production), после успешного окончания которой стартует уже массовое производство.
Переход с норм 16-нм FinFET на 10-нм FinFET позволяет увеличить количество транзисторов на 110%. В плане производительности это означает увеличение частот на 20% при сохранении текущего энергопотребления или же сокращение энергопотребления на 40% при сохранении текущих частот.
Чтобы наладить производство TSMC потребуется вложить около $1 млрд. Однако инвестиции в модернизацию оборудования окупят себя в дальнейшем, упростив переход на нормы 7-нм техпроцесса и при освоении еще более тонких технологий.
Отметим, что главные конкуренты TSMC также не теряют время зря. Samsung уже представила 300-мм пластины с 10-нм чипами внутри. Она планирует начать массовый их выпуск уже в 2016 году. По неофициальным данным, Intel сможет приступить к массовому производству 10-нм процессоров лишь в 2017 году.
