Компьютерные новости
Все разделы
Производители NAND-памяти ускоряют переход на 120/128-слойные микросхемы
В марте SK Hynix начала производство первых 96-слойных микросхем 4D NAND, а Toshiba и Western Digital анонсировали планы по активному переходу к 128-слойным TLC-чипам. По информации DigiTimes, ключевые игроки решили ускорить переход к 120- / 128-слойной технологии производства NAND-памяти, чтобы начать массовое производство чипов уже в 2020 году.
Причина такого решения кроется в текущих низких ценах на флеш-память. Для производителей это идеальное время, чтобы взять паузу на освоение новой технологии. Ведь такой переход неизбежно означает снижение объемов выпуска продукции (нужно время для переоснащения производственных линий и налаживания процесса). А это позволит ликвидировать существующий избыток флеш-памяти и поднять цены.
