Обзор пары 4 ГБ модулей памяти TwinMOS 9DCEBNZB-TATP DDR3-1333

Современные игры и офисные программы часто для своей работы требуют значительных объемов системной памяти. Профессиональные программные комплексы и «тяжелые» игры в своей прожорливости уже давно перешагнули через порог 32-битной адресации, которая ограничивает объем используемой памяти до <4 ГБ. Все популярные операционные системы достаточно давно получили полноценную поддержку 64-битной адресации ячеек памяти и рекомендуют использовать не меньше четырёх гигабайт оперативной памяти. Все это только подтверждает востребованность «ёмких» модулей оперативной памяти в современных системах. Однако больший объем установленной памяти должен увеличить время поиска расположенной в ней информации. Именно влияние таких задержек на общее быстродействие системы и хочется выяснить в данном материале.

В предыдущей статье, посвященной модулям памяти TwinMOS 9DEPBKZ8-TATP DDR3-1333 по 1 ГБ, был отмечен их неплохой разгонный потенциал и стабильная работа при очень доступной цене. Именно по этим причинам на данное тестирование были выбраны модули памяти производства TwinMOS с дополнительными алюминиевыми радиаторами – модель TwinMOS 9DCEBNZB-TATP 4GB DDR3-1333. Такое сочетание дает надежду на существенное повышение рабочих частот установленных микросхем памяти при ручном разгоне.

Попавшие на тестирование два модуля памяти TwinMOS 9DCEBNZB-TATP объемом по 4 ГБ относятся к средней ценовой линейке памяти компании TwinMOS. Наличие алюминиевых радиаторов с каждой стороны позволяет покупателю надеяться на оверклокерские возможности данных моделей. Цветовое исполнение радиаторов «piano black» и «ocean blue» обеспечит им привлекательный вид внутри корпуса. Однако не будем «встречать по одежке», намного интереснее проверить возможности TwinMOS 9DCEBNZB-TATP и оценить их быстродействие.

Модули памяти TwinMOS 9DCEBNZB-TATP 4GB DDR3-1333, попали к нам без какой-либо упаковки, скорее всего, и продаваться они тоже будут без неё.

Сами модули выполнены на двухсторонней печатной плате, с каждой стороны которой расположено по 8 микросхем с приклеенной на них алюминиевой пластиной радиатора. Она должна способствовать большей стабильности работы и лучшим возможностям разгона микросхем памяти.

На одной из боковых сторон имеется наклейка, которая несет информацию о модели модуля, объеме в 4 ГБ, его стандарте DDR3 и эффективной рабочей частоте 1333 МГц (PC3-10600). Также здесь приводится и некоторая более низкоуровневая информация: архитектура модуля состоит из двух банков по 8x256 МБ в каждом, суммарно это шестнадцать чипов по 256 МБ (16IC); основная задержка Column Address Strobe (CAS) latency, или сокращенно CL, составляет 9 тактов; сам модуль конструктивно выполнен в виде U-DIMM – обычная не буферизированная память для ПК.

Алюминиевые пластины приклеены к микросхемам памяти достаточно прочно, что не позволило нам привести здесь фото самих микросхем. Однако сам производитель заявляет о маркировке TwinMOS TMPI08H3S20BE для чипов у моделей памяти TwinMOS 9DCEBNZB-TATP. Этот факт говорит о производстве данных микросхем на заводах компании TwinMOS. Само наличие полного цикла производства памяти у этого производителя должно положительно влиять на конечную стоимость продукта.

При помощи утилит CPU-Z и AIDA64 можно узнать информацию, которая записана в SPD модуля. Именно данные с SPD использует BIOS материнской платы для автоматического определения режимов работы модуля при начальной загрузке системы. В модуле TwinMOS 9DCEBNZB-TATP записаны четыре JEDEC-режима работы: DDR3-533 МГц, DDR3-609 МГц, DDR3-685 МГц и DDR3-761 МГц при соответствующих задержках и напряжении питания 1,5 В. Стандартным режимом для данной памяти является DDR3-685, как самый близкий к рекомендованной рабочей частоте в 667 МГц при задержках (таймингах) 9-9-9-25-34 для CL-tRCD-tRP-tRAS-tRС соответственно. Наличие режима DDR3-761 МГц позволяет надеяться на работу данных модулей с частотой в 800 МГц, что может оказаться весомым плюсом при приобретении моделей TwinMOS 9DCEBNZB-TATP. Увеличение частоты работы памяти с 667 МГц до 800 МГц должно обеспечить прирост общей производительности системы на несколько процентов.

Какими-либо расширениями (EPP или XMP), а также сертификатом «SLI Ready», данные модули отличиться не смогут. С одной стороны это говорит об ориентации этой оперативной памяти на работу в обычных системах, а с другой – ничто не увеличивает их стоимость.

Характеристики модулей:

Производитель и модель	TwinMOS 9DCEBNZB-TATP (PC3 10600 4GB DDR3 1333 MHz 256x8 16IC CL 9.0 U-DIMM)
Тип памяти	DDR3
Объем модуля, ГБ	4
Форм-фактор	240 pin U-DIMM
Стандартные режимы работы JEDEC	DDR3-761 10-10-10-28-38 1.5V DDR3-685 9-9-9-25-34 1.5V DDR3-609 8-8-8-22-30 1.5V DDR3-533 7-7-7-20-27 1.5V
Расширенные профили XMP/EPP	Нет
Дополнительные сертификаты	-
Рабочий диапазон температур, ºС	-
Энергопотребление комплекта, Вт	2х 1,922 при 1,5 В
Сайт производителя	http://www.TwinMOS.com/

После знакомства с внешним видом модулей TwinMOS 9DCEBNZB-TATP, а также их техническими характеристиками, перейдем к самому интересному, к оценке производительности и разгонного потенциала.

Тестирование производительности

Стенд для тестирования оперативной памяти.

Процессор	Intel Core i5-2500K (LGA1155, 3,3 ГГц, L3 6 МБ, Turbo Boost Off, C1E Off)
Материнские платы	ASUS P8P67 (Intel P67, LGA 1155, DDR3, ATX)
Кулер (Intel)	Thermalright SI-128 (LGA775) + VIZO Starlet UVLED120 (62,7 CFM, 31,1 дБ)
Видеокарта	ZOTAC GeForce GTX 480 AMP! (NVIDIA GeForce GTX 480, 1,5 ГБ GDDR5, PCIe 2.0)
Жесткий диск	Hitachi Deskstar HDS721616PLA380 (160 ГБ, 16 МБ, SATA-300)
Оптический привод	ASUS DRW-1814BLT SATA
Блок питания	Seasonic M12II-500 (SS-500GM), 120 мм fan

Производитель рекомендует использовать память в режимах DDR3-761 10-10-10-28-38 1.5V, DDR3-685 9-9-9-25-34 1.5V, DDR3-609 8-8-8-22-30 1.5V и DDR3-533 7-7-7-20-27 1.5V. Однако при тестировании будет использоваться только режим DDR3-685 9-9-9-25 1.5V, так как он самый близкий к рекомендованной для этих модулей частоте в 1333 МГц (667 МГц) и самый востребованный в современном мире.

Полученные результаты тестирование подтвердили предыдущее утверждение о более медленной работе емких микросхем памяти. Это суммарно уменьшает быстродействие памяти на 3-5% относительно использования модулей этого же производителя с емкостью в 1 ГБ каждый. Такие задержки памяти снижают общую производительности системы на 1-2%. Хотя уменьшение общей скорости работы системы наглядно доказывают результаты тестирования, все же главным критерием при выборе объема установленной оперативной памяти должна стать потребность в таком объеме работающих на данном ПК приложений. Падение производительности в 1-2%, на фоне более существенных задержек в работе при недостатке оперативной памяти, не сможет стать существенным аргументом при комплектации вашего компьютера.

Стабильность работы модулей памяти была проверена различными тестами. В их число вошел и стандартный модуль проверки памяти, который встроен в операционную систему WINDOWS 7.

Как видно из приведенного изображения, неполадок после 98 «прогонов» теста обнаружено не было. Такие результаты говорят об отличной стабильности работы попавших на тестирование модулей памяти по 4 ГБ DDR3-1333 TwinMOS 9DCEBNZB-TATP, а именно этот критерий и является для памяти этого класса самым главным. Однако стабильность работы на рекомендованных частотах и приемлемое быстродействие это не все факторы, которые учитываются при выборе модулей памяти во время покупки. Немаловажным критерием при этом выборе будет и возможность разгона.

Разгон

Для разгона использовалась та же система на процессоре с архитектурой Sandy Bridge, в которой отсутствует возможность изменения частот работы памяти при неизменной частоте процессора. Изменение частоты последнего привело бы к искажению измерения производительности при разгоне памяти. В связи с этим был задействован разгон средствами множителя частоты работы памяти. Такой способ позволяет поднять частоты памяти с 667 МГц сразу до 800 МГц без возможности выставления промежуточных значений частоты.

Попытки разгона комплекта памяти DDR3-1333 TwinMOS 9DCEBNZB-TATP до частот работы в 1600 МГц производились при стандартном наборе задержек (10-10-10-28-38), которые рекомендовано использовать на частотах в DDR3-761. Напряжение питания было увеличено до 1,65 В. Однако стабильности работы данных модулей памяти на рабочих частотах в 800 МГц при разных комбинациях набора задержек, в том числе и заметно выше рекомендованных, достигнуто не было. Такое поведение модулей памяти TwinMOS 9DCEBNZB-TATP с дополнительными алюминиевыми радиаторными пластинами «развеяло» надежды на их хороший разгонный потенциал.

Все же стоит отметить, что не так часто получается разогнать относительно недорогие модули памяти, имеющие рабочую частоту в 1333 МГц, до следующей частоты в 1600 МГц. Однако данный результат нельзя переносить на все модули 4ГБ памяти от TwinMOS, т.к. в любом разгоне присутствует большая доля везения.

Итоги

Как и следовало ожидать, небольшие, но все же заметные, задержки при использовании более емких модулей памяти приводят к незначительному снижению общей производительности системы. Однако главным критерием при комплектации системы оперативной память стоит считать именно потребность в ней со стороны работающих на вашем ПК программных комплексов и игровых приложений. Ведь недостаток оперативной памяти очень существенно снижает общую производительность, что в десятки раз будет более заметно, чем увеличившиеся задержки при работе с большим объемом установленной памяти, которая имеет емкие микросхемы.

Комплект из пары четырехгигабайтных модулей памяти DDR3-1333 TwinMOS 9DCEBNZB-TATP подойдет как для производительного офисного ПК, так и для бюджетных серверов малой инфраструктуры. Главным достоинством этого комплекта станет его относительно доступная стоимость при хороших показателях стабильности работы. При использовании в рекомендованном режиме с задержками 9-9-9-25-34 и напряжением питания 1,5 В модули памяти, входящие в данный комплект, обеспечат такой же уровень быстродействия, как и любые другие со сходной рабочей частотой и объемом. Благодаря наличию дополнительных алюминиевых радиаторов данные модули будут работать с более низкой температурой, что ведет к их более стабильной работе даже при плохой вентиляции воздуха внутри корпуса.

Автор: Валерий Паровышник

Выражаем благодарность компании «Single Computing», официальному дистрибьютору TwinMOS, за предоставленные на тестирования модули памяти.

Выражаем благодарность компаниям ASUS, Intel, SeaSonic и ZOTAC за предоставленное для тестового стенда оборудование.